Integrovaný obvod

, mikroelektronický konstrukční celek, obsahující aktivní i pasivní prvky, umístěné na společné podložce a ve společném pouzdře. Podle technologie výroby se integrovaný obvod dělí do tří skupin: vrstvové (tenkovrstvé nebo tlustovrstvé), monolitické (bipolární nebo unipolární) a hybridní (kombinace vrstvové a monolitické technologie). Vrstvový integrovaný obvod je vytvořen nanesením funkčních polovodičových, izolačních a vodivých vrstev na izolační podložku. Monolitické integrované obvody se tvoří na jediném krystalu, převážně křemíku, planárně difuzní nebo epitaxní technologií. Hybridní integrované obvody jsou tvořeny izolační podložkou, na které jsou vrstvovou technikou zhotoveny kondenzátory, odpory a vodivé spoje. Podle stupně integrace se rozlišují integrované obvody malé integrace (SSI) s desítkami přechodů PN, integrované obvody střední integrace (NSL) se stovkami přechodů PN nebo desítkami elementárních logických obvodů, integrované obvody velké integrace (LSI) se složitými funkčními bloky a integrované obvody zvlášť velké integrace (ELSI), obsahující např. celá zařízení jako operační jednotku počítače ap. Technologie integrovaných obvodů umožnila miniaturizaci a prudký rozvoj počítačové techniky a elektroniky.

Související hesla