Tranzistor

, obecné označení polovodičové triody nebo tetrody schopné zesilovat výkon. Tranzistor obsahuje minimálně tři elektrody, a to zdrojovou – emitor (E), sběrnou – kolektor (C) a jednu nebo dvě řídicí – báze (B). Elektrody E, B a C se stýkají ve dvou přechodech. Podle sledu vodivosti se vyrábějí tranzistory typu PNP a NPN. Za normálního provozu je přechod E – B polarizován vnějším napětím v propustném směru a přechod B – C ve směru závěrném. Zesilovací schopnost tranzistoru spočívá v tom, že malá změna proudu do báze při malém napětí vyvolá velkou změnu proudu kolektoru při velkém napájecím napětí kolektoru. Ze zatěžovacího odporu v kolektorovém obvodu lze odebírat mnohem větší výkon, než jaký je dodáván do obvodu báze. Tranzistor lze zapojit v obvodu třemi způsoby podle elektrody, která je společná vstupu i výstupu, se společným emitorem jako SE, bází SB a kolektorem SC. Proudový zesilovací činitel (h) pro dané zapojení udává, kolikrát je větší proud ve výstupním obvodu vůči vstupnímu. V zapojení SE bývá 20 – 1 000 h, v zapojení SB je 0,9 – 0,99 h, v zapojení SC je 0,95 – 0,995 h. První funkční tranzistor byl zhotoven v roce 1948 v USA. Bází byla destička germania vodivosti N, na níž dosedaly v malé vzdálenosti dva hroty jako E a C. 1950 byl tento tranzistor nahrazen dokonalejším plošným tranzistorem z vrstev germania a později křemíku s vodivostí PNP, později i NPN. Dalším zdokonalováním techologie výroby tranzistoru se zlepšovaly vysokofrekvenční a výkonové parametry. Tranzistory se začaly dělit na nízkovýkonové a výkonové, vysokofrekvenční, nízkofrekvenční a spínací, nízkošumové ap. Podle technologie výroby vznikly tranzistory slitinové, mesa, tranzistory planární, řízené elektrickým polem (MES, MIS, MOS, FET, JFET), tranzistor se dvěma bázemi (tetroda), s kovovou bází, s více emitory a podobně.

Související hesla